Patentin adı: Xalkopirit quruluşlu mis-indium disulfid kristallarının alınması üsulu
Nəşr ili: 2017
Nömrəsi: İ 2017 0049
Qısa məzmunu: İxtira, kimya texnologiyasına aiddir, daha dəqiq xalkopirit quruluşlu mis-indium disulfid α-CuInS2 kristallarının aşağı temperaturlu α-polimorf modifikasiyası kimi alınması üsuluna aiddir və elektronikada və aşağı optiki itkiyə malik olan, yüksək faydalı iş əmsallı günəş enerjisi çevricilərinin yaradılması üçün, günəş elementlərinin hazırlanmasında istifadə edilə bilər.
Müəlliflər: S.N.Mustafayeva, M.M.Əsədov, A.N.Məmmədov.
Nəşr ili: 2017
Nömrəsi: İ 2017 0049
Qısa məzmunu: İxtira, kimya texnologiyasına aiddir, daha dəqiq xalkopirit quruluşlu mis-indium disulfid α-CuInS2 kristallarının aşağı temperaturlu α-polimorf modifikasiyası kimi alınması üsuluna aiddir və elektronikada və aşağı optiki itkiyə malik olan, yüksək faydalı iş əmsallı günəş enerjisi çevricilərinin yaradılması üçün, günəş elementlərinin hazırlanmasında istifadə edilə bilər.
Müəlliflər: S.N.Mustafayeva, M.M.Əsədov, A.N.Məmmədov.